技術

2026年までに最も成長率の高い将来の機会を紹介するエンハンスメントモードMOSFET市場の見積もり

エンハンスメントモードMOSFETは、デプレッションモードタイプのMOSFETの逆です。ここで、導電性チャネルは、軽くドープされているか、またはドープされておらず、非導電性になっています。これにより、実際には、ゲートバイアス電圧がゼロに等しい場合、デバイスは通常「オフ」または非導通になります。 nチャネルエンハンスメントMOSトランジスタの場合、ドレイン電流は、ゲート電圧(VGS)が、コンダクタンスが発生するしきい値電圧(VTH)レベルよりも大きいゲート端子に印加されている場合にのみ流れ、相互コンダクタンスデバイスになります。

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拡張モードMOSFET市場は、タイプ、最終用途産業、および地理学に基づいて分割できます。タイプに基づいて、市場はNタイプとPタイプの2つのタイプに分割できます。最終用途産業に基づいて、市場は家庭用電化製品、自動車、航空宇宙などの4つのカテゴリに分類できます。家庭用電化製品セグメントは、業界のプレーヤーに有利な範囲を提供し、予測期間中に他のセグメントと比較してより高い成長を示すことが期待されます。アジア太平洋地域は、半導体および電力管理デバイスの需要の増加により、2017年に世界市場で最高の収益シェアを占めました。

製品発売戦略は、世界のエンハンスメントモードMOSFET市場の主要なプレーヤーによって最も採用されている戦略です。さらに、買収と拡大は、競争力を維持するために主要なプレーヤーによって採用された他の著名な戦略です。さまざまな企業が、特にエンハンスメントモードMOSFET市場に関連する製品ポートフォリオを拡大する目的で、炭化ケイ素パワー半導体デバイス、TB9150FNG、低入力電流ドライバ、SiCパワーMOSFETなどの新しい高度な技術ソリューションを発表しています。

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コンパクトな自動化ソリューション、強化された効率、および耐久性に対する要件により、家庭用電化製品、エネルギーおよび電力、およびその他のアプリケーションでの拡張モードMOSFETの採用率が高まっています。したがって、世界のエンハンスメントモードMOSFET市場は、コンパクトなサイズと強化された耐久性により、近い将来、緩やかな成長が見込まれます。ただし、高い実装コストと電流リークは市場の成長を妨げます。パワーMOSFETとヒューマンマシンインターフェース(HMI)の統合は、市場の成長に有利な機会を提供することが期待されています。

レポートで紹介されている主要なプレーヤーは、TDK、Fuji Electric、NXP Semiconductors、Infineon Technologies AG、Fairchild Semiconductors、Digi-key Electronics、Toshiba Corp.、IXYS Corporation、Power Integration、STMicroelectronics、およびTexas Instruments、Renesas ElectronicsCorporationです。その他。

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